国产 14nm 芯片将于明年量产，可满足 70% 生产需求

国产芯片产业一直处在追赶世界领先技术的状态，虽然在先进工艺上与全球芯片巨头还存在不小的差距，但随着近年来逐步发力，突围已成必然。

国产 14nm 芯片将于明年量产

此前行业预判，28nm 将是 100% 国产芯片的新起点，将有望在今年实现量产，而国产 14nm 芯片则有望在明年实现量产。近日，据环球网报道，中国电子信息产业发展研究院电子信息研究所所长温晓君在接受采访时表示，国产 14nm 芯片明年底可以实现量产，国产芯片已经迎来最好的时刻。“认同行业预判，尽管面临着技术方面的难题，但已看到希望。”

对于国产 14nm 芯片的发展现状，温晓君也做了进一步说明。在他看来，14nm 芯片的发展攻克了许多技术难题：刻蚀机、薄膜沉积等关键装备实现了从无到有，批量应用在大生产线上；14nm 工艺研发取得突破；后道封装集成技术成果全面实现量产；抛光剂和溅射靶材等上百种关键材料通过大生产线考核进入批量销售。而这些成果基本覆盖了我国集成电路全产业链体系，扭转了之前工艺技术全套引进的被动局面。

温晓君表示，“14nm 甚至 28nm 芯片国产化快速发展意味着，我们采用退回策略，用成熟工艺满足一般性的芯片需要，不一味追求高制程，更加重视设计、封装优化，以时间来换取半导体应用和全产业链自主的空间。”

据了解，虽然当前我国芯片制造产业在技术上已做好生产 7nm 芯片的准备，但当芯片进入 7nm 制程以后，生产中必须要用到 EUV 光刻机，而当前全球仅有荷兰 ASML 可生产 EUV 光刻机。也因此，7nm 芯片还未能实现 100% 国产化。

值得一提的是，14nm 芯片虽然相较世界领先的 7nm、5nm 工艺还存在不小的差距，但也能满足大部分的芯片生产需求。温晓君认为，14-12nm 这一代的生产线，在目前半导体中非常的关键，14nm 制程及以上能够满足目前 70% 半导体制造工艺的需要，定位中端的 5G 芯片均采用了 12nm 工艺。另外，14nm 基本能满足我国国产台式 CPU 需要的制程的需要。

至于国产 14nm 芯片量产后该如何进一步发展，温晓君认为，后续扩大产能还需要做好资金支持，包括光刻机、清洗设备、抛光仪器等所需设备不仅价格昂贵，且在使用过程中需要耗费大量的水和电；其次，需要在原材料、元器件等供应商层面上做好整合工作，提前做好客户导入，确保产能得到充分利用。

国产自研芯片的困境和希望

由于起步较晚，国产芯片产业一直处在追赶世界领先技术的状态，也因为同样的原因，中国芯片主要在依靠进口进行供应。公开资料显示：芯片一直是中国进口金额最大的商品。根据海关公开数据，2019 年，中国芯片进口额 3040 亿美元，超过原油、铁矿砂、粮食总和 3016 亿美元。

中美贸易摩擦背景之下，美国的步步紧逼对芯片技术进行了进一步封锁。整体来看，国产芯片仍然在经受着制造、产能等方面的限制。

2020 年，美国政府对华为、中芯国际等芯片企业的政策不断收紧。美国政府在 5 月公布了“禁止向华为出售使用美系设备生产的芯片的制裁方案”。8 月 17 日，美国商务部再发表声明称，禁止使用美系设备的公司向全世界 21 个国家的 38 家华为子公司销售芯片。继禁止使用美国“设备”之后，美国又禁止了使用其专利等美国“技术”的公司向华为供应芯片。9 月，美国政府又对中芯国际施加了出口限制，任何受该出口限制令影响的供应商若想继续给中芯国际供货，就得向美国政府申请出口许可证。

困境之下，国产芯片也加速实现了突围。

2020 年 10 月 11 日，中芯国际被曝 7nm 先进制程芯片取得了重大突破，其首款“N+1”工艺芯片流片成功。据了解，该公司已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试，所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过，为国产半导体生态链的发展起到了不小的推动作用。

资料显示，“N+1”是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，其与现有的 14nm 工艺相比，性能提升了 20%，功耗降低了 57%，逻辑面积缩小了 63%，SoC 面积减少了 55%，也被称为“国产版”的 7nm 芯片技术。

面对长期高投入和技术积累的强大对手，我国芯片企业都面临着巨大的压力。但值得一提的是，随着中兴 7nm 芯片走向商用，中芯国际“N+1”工艺成功流片，可以看到，我国芯片企业已经明显加快了追赶先进制程的步伐，加之“N+1”工艺对 EUV 光刻机依赖度的降低，为我国先进制程芯片的完全国产化带来了希望。